夜今晨，瀘州多地暴雨，最大降雨在古藺。 目前，古藺縣境內(nèi)多處道路因大雨發(fā)生地災(zāi)，多條道路交通中斷，請(qǐng)過(guò)往車輛和行人注意，具體如下：

1、S312線(原S309線)古蒿路K0 400山體塌方，阻斷交通，已交通管制，請(qǐng)過(guò)往車輛繞行。

2、X015古(藺)金(沙)路K53(椒園至魚(yú)塘河玉林村)發(fā)生山體滑坡阻斷交通，已交通管制。

3、XE27太(平)石(寶)路K7(皇家溝鐵橋水泥廠)河水淹公路無(wú)法通行，已交通管制。

4、XE27太(平)石(寶)路K3 500塌方阻斷交通，已交通管制。

5、XE27太(平)石(寶)路K2(九龍橋)塌方阻斷交通，已交通管制。

6、Y602鄉(xiāng)道龍(山)觀(文)路長(zhǎng)坡段塌方，交通中斷。

古藺道交提醒：行經(jīng)上述路段的車輛請(qǐng)重新規(guī)劃出行路線，惡劣天氣停車，請(qǐng)務(wù)必提前了解路況，行經(jīng)山區(qū)道路，請(qǐng)注意觀察通行。(孫云峰 大聽(tīng)網(wǎng)記者 盧廣)

報(bào)告出品方/作者：五礦證券，王少南）

1、半導(dǎo)體材料：晶圓制造+封裝上游重要支柱

1.1 材料種類豐富多樣，廣泛應(yīng)用于晶圓制造和封裝工藝

半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料。按照工藝的 不同，可分為晶圓制造材料和封裝材料。其中，晶圓制造材料主要包括硅片、特種氣體、掩 膜版、光刻膠、光刻膠配套材料、（通用）濕電子化學(xué)品、靶材、CMP 拋光材料等。封裝材 料主要有封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料等。

按照代際，可分為第一代、第二代和第三代。1）第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅（Si）、鍺元 素（Ge）半導(dǎo)體材料。主要用于制造集成電路，并廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦、平板、可穿戴、 電視、航空航天以及新能源車、光伏等產(chǎn)業(yè)。2）第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材 料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導(dǎo)體，如 GaAsAl、GaAsP；還有一 些固溶體半導(dǎo)體，如 Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導(dǎo)體（又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體），如非晶硅、玻 璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體；有機(jī)半導(dǎo)體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。主要用于制作高速、高頻、 大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，廣泛應(yīng) 用于衛(wèi)星通訊、移動(dòng)通訊、光通信和 GPS 導(dǎo)航等領(lǐng)域。3）第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅 （SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（Eg>2. 3eV） 半導(dǎo)體材料。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、電力電子器件、激光器和探測(cè)器等。相比于第一代、 第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度更寬，擊穿電場(chǎng)更高、熱導(dǎo)率更高、電子飽 和速率更高、抗輻射能力更強(qiáng)，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常 又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，也稱為高溫半導(dǎo)體材料。整體而言，全球半導(dǎo)體依然以硅材料 為主，目前 95%以上的半導(dǎo)體器件和 99%以上的集成電路都是由硅材料制作。

晶圓制造材料中，硅片為晶圓制造基底材料；光刻膠用于圖形轉(zhuǎn)移；電子特氣用于氧化、還 原、除雜；拋光材料用于實(shí)現(xiàn)平坦化。封裝材料中，封裝基板與引線框架起到保護(hù)芯片、支 撐芯片、連接芯片與 PCB 的作用，封裝基板還具有散熱功能；鍵合絲則用于連接芯片和引線 框架。

根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2020 年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為 35%；電子氣體排名第 2，占比 13%；掩膜版排名第 3，占比 12%，光刻膠占比 6%；光刻膠配套材料占比 8% ；濕 電子化學(xué)品占比 7%；CMP 拋光材料占比 6%；靶材占比 2%。 2019 年全球封裝材料中，封裝基板占比最高，為 48%；引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第 2-6 名，占比分別為 15%、15%、10%、6%和 3%。

1.2 行業(yè)規(guī)模創(chuàng)歷史新高，中國(guó)已成為全球最大市場(chǎng)

根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2006-2021 年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)波動(dòng)并整體向上的態(tài)勢(shì)，在 2017 年后，受益于消費(fèi)電子、5G、汽車電子、IoT 等需求拉動(dòng)，行業(yè)規(guī)模呈上升趨勢(shì)，2021 年創(chuàng)歷史新高，達(dá)到 643 億美元，預(yù)計(jì) 2022 年將達(dá)到 698 億美元，同比增長(zhǎng) 8.6% ，預(yù)計(jì) 2023 年將超過(guò) 700 億美元。 分類型看，半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2006-202 1 年， 晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步提升，從 217 億美元提升至 404 億美元，占比從 58.3% 提升至 62.8%；封裝材料市場(chǎng)規(guī)模先升后降，從 2006 年的 155.4 億美元提升至 2011 年的 236. 2 億 美元高點(diǎn)之后，到 2020 年下降至 204 億美元，2021 年又上升至 239 億美元，占比 37.2%。 預(yù)計(jì) 2022 年晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 451 億美元，同比增長(zhǎng) 11.5%，封裝材料將達(dá)到 248 億美元，同比增長(zhǎng) 3.9%。

2021 年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模 266.4 億美元，占比 41.4%，為全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模 最高的國(guó)家。我們認(rèn)為，在中美貿(mào)易戰(zhàn)背景下，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代已經(jīng)成為產(chǎn)業(yè)共識(shí)，半導(dǎo)體 材料作為晶圓制造及封裝工藝的關(guān)鍵上游環(huán)節(jié)，國(guó)產(chǎn)廠商有望充分受益于中國(guó)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)以 及自主可控的紅利，景氣度持續(xù)提升。

2、晶圓制造材料：行業(yè)地位舉足輕重，市場(chǎng)規(guī)模占比超 60%

2.1 硅片：全球產(chǎn)能供不應(yīng)求，滬硅產(chǎn)業(yè) 12 英寸 14nm 實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，通常將 95-99%純度的硅稱為工 業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過(guò)純化，可制成純度 98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過(guò)進(jìn)一步 提純變?yōu)榧兌冗_(dá) 99.9999999%至 99.999999999%（9-11 個(gè) 9）的超純多晶硅；超純多晶硅 在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向， 經(jīng)過(guò)單晶生長(zhǎng)，便生長(zhǎng)出具有特定電性功能的單晶硅錠。單晶硅的制備方法通常有直拉法（CZ） 和區(qū)熔法（FZ），直拉法硅片主要用在邏輯、存儲(chǔ)芯片中，市占率約 95%，區(qū)熔法硅片主要 用在部分功率芯片中，市占率約 4%。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決 定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，摻雜的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素濃度決定了單晶硅錠 的電特性。單晶硅錠制備好后，再經(jīng)過(guò)切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻、包裝后， 便成為硅片。根據(jù)純度不同，分為半導(dǎo)體硅片和光伏硅片，半導(dǎo)體硅片要求硅含量為 9N （99.9999999%）-11N（99.999999999%），而光伏用硅片一般在 4N-6N 之間即可，下游應(yīng) 用主要包括消費(fèi)電子、通信、汽車、航空航天、醫(yī)療、太陽(yáng)能等領(lǐng)域。

硅片制備好之后，再經(jīng)過(guò)一列熱處理、光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、CMP、測(cè)試等環(huán)節(jié)， 便可成功制得硅晶圓，具體分為幾部分： 1）晶圓：制作半導(dǎo)體集成電路的核心原料板； 2）Die：晶圓上有很多小方塊，每一個(gè)正方形是一個(gè)集成電路芯片； 3）劃線：這些芯片之間實(shí)際上有間隙，這個(gè)間距叫做劃線，劃線的目的是在晶圓加工后將每 個(gè)芯片切割出來(lái)并組裝成一個(gè)芯片； 4）平區(qū)：引入平區(qū)是為了識(shí)別晶圓結(jié)構(gòu)，并作為晶圓加工的參考線。由于晶圓片的結(jié)構(gòu)太小， 肉眼無(wú)法看到，所以晶圓片的方向就是根據(jù)這個(gè)平面區(qū)域來(lái)確定的； 5）切口：帶有切口的晶圓最近已經(jīng)取代了平面區(qū)域，因?yàn)榍锌诰A比平區(qū)晶圓效率更高，可 以生產(chǎn)更多的芯片。

半導(dǎo)體硅片通常可以按照尺寸、工藝兩種方式進(jìn)行分類。按照尺寸分類，半導(dǎo)體硅片的尺寸 （以直徑計(jì)算）主要包括 23mm、25mm、28mm、50mm（2 英寸）、75mm（3 英寸）、100mm （4 英寸）、125mm（5 英寸）、150mm（6 英寸）、200mm（8 英寸）與 300mm（12 英寸） 等規(guī)格。自 1960 年生產(chǎn)出 23mm 的硅片之后，硅片尺寸就越來(lái)越大，到 2002 年已經(jīng)可以 量產(chǎn) 300mm（12 英寸）硅片，厚度則達(dá)到了歷史新高 775μm。

當(dāng)硅片尺寸越大，單個(gè)硅片上的芯片數(shù)量就越多，從而能夠提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本。 300mm 硅片是200mm 硅片面積的2.25倍，生產(chǎn)芯片數(shù)量方面，根據(jù)Silicon Crystal Structure and Growth 數(shù)據(jù)，以 1.5cm×1.5cm 的芯片為例，300mm 硅片芯片數(shù)量 232 顆，200mm 硅片芯片數(shù)量 88 顆，300mm 硅片是 200mm 硅片芯片數(shù)量的 2.64 倍。

根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同，越先進(jìn)的工藝制程往往使用更大尺寸的硅片生產(chǎn)。因此，在摩爾定律 的驅(qū)動(dòng)下，工藝制程越先進(jìn)，生產(chǎn)用的半導(dǎo)體硅片尺寸就越大。目前全球半導(dǎo)體硅片以 12 英 寸為主，根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2020 年全球硅片 12 英寸占比 69%，8 英寸占比 24%，6 英寸及 以下占比 7%。未來(lái)隨著新增 12 英寸晶圓廠不斷投產(chǎn)，未來(lái)較長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)，12 英寸仍將是 半導(dǎo)體硅片的主流品種，小尺寸硅片將逐漸被淘汰，但是 8 英寸短期仍不會(huì)被 12 英寸替代。 目前量產(chǎn)硅片止步 300mm，而 450mm 硅片遲遲未商用量產(chǎn)，主要原因是制備 450m m 硅片 需要大幅增加設(shè)備及制造成本，但是 SEMI 曾預(yù)測(cè)每個(gè) 450mm 晶圓廠單位面積芯片成本只 下降 8%，此時(shí)晶圓尺寸不再是降低成本的主要途徑，因此廠商難以有動(dòng)力投入 450m m 量 產(chǎn)。

根據(jù)頭豹研究院數(shù)據(jù)，12 英寸對(duì)應(yīng) 3-90nm 制程，產(chǎn)品包括手機(jī) SoC、CPU、GPU、存儲(chǔ)、 通信、FPGA、MCU、WiFi/藍(lán)牙等；8 英寸對(duì)應(yīng) 90nm-0.25μm 制程，產(chǎn)品包括汽車 M CU、 射頻、指紋識(shí)別、電源管理、功率、LED 驅(qū)動(dòng)等；6 英寸對(duì)應(yīng) 0.35μm -1.2μm 制程，產(chǎn)品包 括 MOSFET、IGBT、MEMS 等。

按照制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片分為拋光片、外延片以及 SOI 硅片。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研 磨和拋光處理后，便得到拋光片。拋光片本身可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ) 芯片與功率器件等，此外也可作為外延片、SOI 硅片的襯底材料。 外延是通過(guò) CVD 的方式在拋光面上生長(zhǎng)一層或多層摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都 符合特定器件要求的新硅單晶層。因此外延片是拋光片經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)形成的，外延技術(shù)可以 減少硅片中因單晶生長(zhǎng)產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度、含碳量和含氧量，能夠改善溝道 漏電現(xiàn)象，提高 IC 可靠性，被廣泛應(yīng)用于制作通用處理器芯片、圖形處理器芯片。如果生長(zhǎng) 一層高電阻率的外延層，還可以提高器件的擊穿電壓，用于制作二極管、IGBT等功率器件， 廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)用電子領(lǐng)域。

市場(chǎng)規(guī)模方面，根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體硅片（不含 SOI 硅片）市場(chǎng)規(guī)模在經(jīng)歷了 2 015- 2016 年低谷之后，開(kāi)始穩(wěn)步上升，到 2021 年已達(dá)到 126.2 億美元。受益于中國(guó)大陸晶圓廠 擴(kuò)產(chǎn)的拉動(dòng)，中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片（不含 SOI 硅片）市場(chǎng)規(guī)模 2012 年為 5 億美元，2017 開(kāi) 始迅速增長(zhǎng)，2021 年已達(dá)到為 16.6 億美元。

SOI 硅片方面，由于應(yīng)用場(chǎng)景規(guī)模較小，整體行業(yè)規(guī)模小于拋光片和外延片，根據(jù) SEMI 及 Research and Markets 數(shù)據(jù)，2013 年全球市場(chǎng)規(guī)模為 4 億美元，2021 年為 13.7 億美元， 預(yù)計(jì)到 2025 年將達(dá)到 22 億美元。中國(guó)大陸 SOI 硅片市場(chǎng)規(guī)模 2016 年為 0.02 億美元，2018 年增長(zhǎng)至 0.11 億美元。

根據(jù) Soitec 數(shù)據(jù)，隨著通信技術(shù)從 3G 向 4G、5G 升級(jí)過(guò)程中，單部智能手機(jī) SO I 硅片需 求面積亦隨之增加，3G 時(shí)為 2mm2，4G LTE-A 為 20mm2，5G sub-6GHz 為 52mm2，5G sub-6GHz & mmW 為 130 mm2。 在射頻前端模組領(lǐng)域，在 4G/5G（sub-6G）中，RF-SOI 用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)以及天線 調(diào)諧器等，F(xiàn)D-SOI 用于追蹤器；在毫米波中，RF-SOI 用于功放、低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)以及 移相器，F(xiàn)D-SOI 可用于移相器、SoC 等；而在 WiFi 和 UWB 中，RF-SOI 用于功放、低噪 聲放大器以及開(kāi)關(guān)，F(xiàn)D-SOI 用于移相器、SoC 等。

滬硅產(chǎn)業(yè)是中國(guó)大陸規(guī)模最大的半導(dǎo)體硅片制造企業(yè)之一，也是中國(guó)大陸率先實(shí)現(xiàn) 300mm 半導(dǎo)體硅片規(guī)模化生產(chǎn)和銷售的企業(yè)，產(chǎn)品涵蓋 300mm 拋光片及外延片、200mm 及以下拋 光片、外延片以及 200mm 及以下的 SOI 硅片，率先打破了中國(guó) 300mm 半導(dǎo)體硅片國(guó)產(chǎn)化 率幾乎為 0%的局面。此外，中環(huán)股份產(chǎn)品涵蓋 4-12 英寸化腐片、拋光片、外延片，立昂微 主要產(chǎn)品包括 6-12 英寸半導(dǎo)體硅拋光片和硅外延片。中國(guó)臺(tái)灣廠商合晶科技主要生產(chǎn) 200mm 及以下半導(dǎo)體硅片（含 SOI 硅片）。

全球各個(gè)國(guó)家/地區(qū)半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)能方面，根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)，2020 年 12 月，全球 8 英 寸等效月產(chǎn)能為 2081.4 萬(wàn)片/ 月，中國(guó)臺(tái)灣/ 韓國(guó)/ 日本分列 前 3 名，產(chǎn) 能 分 別 為 444.8/425.3/328.1 萬(wàn)片/月，市占率分別為 21.4%/20.4%/15.8%。根據(jù) Knometa Research 數(shù)據(jù)，2021 年 12 月，全球 8 英寸等效月產(chǎn)能為 2160 萬(wàn)片/月，韓國(guó)/中國(guó)臺(tái)灣/中國(guó)大陸分 列前 3 名，產(chǎn)能分別為 496.8/453.6/345.6 萬(wàn)片/月，市占率分別為 23%/21%/16%，中國(guó)大 陸廠商積極擴(kuò)產(chǎn)，到 2021 年底產(chǎn)能和市占率超過(guò)日本上升至第 3 位。

不同工藝制程分國(guó)家/地區(qū)來(lái)看，根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)，2020 年 12 月，全球 8 英寸等效月 產(chǎn)能中： 10nm 以下產(chǎn)能為 147 萬(wàn)片/月，中國(guó)臺(tái)灣占比 62.8%，韓國(guó)占比 37.2%； 10-20nm 產(chǎn)能為 801 萬(wàn) 片/ 月 ， 韓 國(guó)/ 日本 / 中 國(guó) 大 陸 分列 前 3 名 ，占 比 分 別 為 29.3%/23.6%/14.8%； 20-40nm 產(chǎn)能為 231 萬(wàn) 片/ 月 ， 中 國(guó)臺(tái) 灣/ 韓 國(guó)/ 北 美 分列 前 3 名 ，占 比 分 別 為 29.5%/27.3%/17.0%； 40nm-0.18μm 產(chǎn)能為 422 萬(wàn)片/月，中國(guó)臺(tái)灣/中國(guó)大陸/日本分列前 3 名，占比分別為 29.4%/15.6%/13.5%； 0.18μm 及以上產(chǎn)能為 480 萬(wàn)片/月，中國(guó)大陸/日本/中國(guó)臺(tái)灣分列前 3 名，占比分別為 20.5%/17.1%/16.8%。 不同國(guó)家/地區(qū)分工藝制程來(lái)看，根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)，2020 年 12 月，全球 8 英寸等效月 產(chǎn)能中，整體而言，10nm 以下占比 7.1%，10-20nm 占比 38.5%，20-40nm 占比 11.1%， 40nm-0.18μm 占比 20.3%，0.18μm 及以上占比 23.1%。

不同國(guó)家/地區(qū)來(lái)看： 中國(guó)臺(tái)灣排名前 3 的工藝制程分別為 40nm-0.18μm/10nm 以下/10-20nm 和 0.18μm 及以上， 占比分別為 28%/21%/18%； 韓國(guó)排名前3的工藝制程分別為10-20nm/10nm 以下/20-40nm，占比分別為57%/13%/13%； 日本排名前 3 的工藝制程分別為 10-20nm/0.18μm 及以上/40nm-0.18μm，占 比分別為 57%/26%/17%； 北美排名前 3 的工藝制程分別為 10-20nm/0.18μm 及以上/40nm-0.18μm，占 比分別為 36%/29%/20%； 中國(guó)大陸排名前 3 的工藝制程分別為 10-20nm/0.18μm 及以上/40nm-0.18μm，占比分別為 39%/30%/20%； 歐洲排名前 3 的工藝制程分別為 0.18μm 及以上/40nm-0.18μm/20-40nm，占 比分別為 49%/26%/13%。

全球各大半導(dǎo)體廠商晶圓產(chǎn)能方面，根據(jù) Knometa Research 數(shù)據(jù)，2020 年 12 月，全球前 5 大廠商 8 英寸等效月產(chǎn)能為 1110.4 萬(wàn)片/月，三星/臺(tái)積電/美光/SK 海力士/鎧俠排名 1-5 名，產(chǎn)能分別為 336.4/264.7/193.1/188.1/128.3 萬(wàn) 片 / 月 ， 市 占 率 分 別 為 17%/13%/10%/10%/7%。2021 年 12 月，全球前 5 大廠商 8 英寸等效月產(chǎn)能為 1221. 7 萬(wàn)片 / 月 ，三星 / 臺(tái)積電 / 美 光 /SK 海力士 / 鎧 俠 排 名 1-5 名 ， 產(chǎn) 能 分 別 為 405.0/280.3/205.4/198.2/132.8 萬(wàn)片/月，市占率分別為 19%/13%/10%/9%/6%，前 5 大廠商 市占率達(dá)到 57%，較 2020 年 12 月增加 1pct，集中度進(jìn)一步提升。

分硅片尺寸來(lái)看，根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)，2020 年 12 月，300mm 硅片產(chǎn)能排名中，三星/臺(tái) 積電/美光分列前 3 名，市占率分別為 21%/15%/14%；200mm 硅片產(chǎn)能排名中，臺(tái)積電/意 法半導(dǎo)體/聯(lián)電分列前 3 名，市占率分別為 10%/6%/6%；150mm 及以下硅片產(chǎn)能排名中， 華潤(rùn)微電子/士蘭微/新唐科技分列前 3 名，市占率分別為 9%/8%/8%。中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)、美 國(guó)、日本、歐洲廠商主要在 200mm 和 300mm 硅片領(lǐng)域具備較大優(yōu)勢(shì)，而中國(guó)大陸廠商在 150mm 及以下領(lǐng)域有所領(lǐng)先，與先進(jìn)國(guó)家/地區(qū)廠商相比仍有較大提升空間。

2.2 電子氣體：國(guó)產(chǎn)部分氣體通過(guò) ASML 認(rèn)證，產(chǎn)品逐步邁向高端化

工業(yè)中，把常溫常壓下呈氣態(tài)的產(chǎn)品統(tǒng)稱為工業(yè)氣體產(chǎn)品，工業(yè)氣體是現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ)原材 料，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中有著重要地位和作用，廣泛應(yīng)用于冶金、化工、醫(yī)療、食品、機(jī)械、軍工 等傳統(tǒng)行業(yè)，以及半導(dǎo)體、液晶面板、LED、光伏、新能源、生物醫(yī)藥、新材料等新興產(chǎn)業(yè)， 對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展有著戰(zhàn)略性的支持作用，因此被喻為“工業(yè)的血液”。 工業(yè)氣體產(chǎn)品種類繁多，分類方式多樣。按化學(xué)性質(zhì)不同可以分為劇毒氣體（如氯氣、氨氣 等）、易燃?xì)怏w（如氫氣、乙炔等）、不燃?xì)怏w（如氧氣、氮?dú)夂蜌鍤獾龋０唇M分不同可以分 為工業(yè)純氣和工業(yè)混合氣。

按制備方式和應(yīng)用領(lǐng)域的不同，工業(yè)氣體可分為大宗氣體和特種氣體。大宗氣體又分為空分 氣體與合成氣體，此類氣體產(chǎn)銷量較大，但一般對(duì)氣體純度要求不高，主要用于冶金、化工、 機(jī)械、電力、造船等傳統(tǒng)領(lǐng)域；特種氣體指在部分特定領(lǐng)域應(yīng)用的氣體產(chǎn)品，根據(jù)純度和用 途又可以細(xì)分為標(biāo)準(zhǔn)氣體、高純氣體和電子特種氣體。特種氣體雖然產(chǎn)銷量小，但是種類繁 多，對(duì)氣體純度、雜質(zhì)含量等指標(biāo)有較高要求，屬于高技術(shù)、高附加值的產(chǎn)品，下游主要應(yīng) 用于集成電路、液晶面板、LED、光伏、生物醫(yī)藥、新能源等新興產(chǎn)業(yè)。從整個(gè)工業(yè)氣體市 場(chǎng)的產(chǎn)銷量來(lái)看，空分氣體應(yīng)用領(lǐng)域最廣泛、使用量最大，占工業(yè)氣體的約 90%，其余的部 分為合成氣體和特種氣體。

1）工業(yè)氣體： 工業(yè)氣體產(chǎn)業(yè)鏈方面，上游包括原料及設(shè)備，空分氣體的原料主要為空氣或者工業(yè)廢氣，成 本較低，合成氣體的原料主要為化學(xué)產(chǎn)品，成本較高；特種氣體的原料主要為外購(gòu)的工業(yè)氣 體和化學(xué)原材料，成本高。設(shè)備分為氣體生產(chǎn)設(shè)備、氣體儲(chǔ)存設(shè)備和氣體運(yùn)輸設(shè)備，氣體生 產(chǎn)設(shè)備主要有空分設(shè)備和氣體提純?cè)O(shè)備，氣體儲(chǔ)存設(shè)備主要有鋼瓶和儲(chǔ)槽，氣體運(yùn)輸設(shè)備主 要有用液化氣槽車和管道。中游為大宗氣體和特種氣體的制造、運(yùn)輸和儲(chǔ)存，下游應(yīng)用領(lǐng)域 包括傳統(tǒng)行業(yè)與新興行業(yè)。

根據(jù)供應(yīng)模式的不同，工業(yè)氣體行業(yè)的經(jīng)營(yíng)模式可以分為零售供氣和現(xiàn)場(chǎng)制氣。零售供氣又 分為瓶裝運(yùn)輸和儲(chǔ)槽運(yùn)輸。對(duì)于瓶裝運(yùn)輸，特種氣體由于單位價(jià)值較高，基本無(wú)運(yùn)輸半徑限 制，大宗氣體運(yùn)輸半徑在 50km 左右，使用量較小，主要用于醫(yī)療、科研領(lǐng)域，比如醫(yī)院、 公共衛(wèi)生、技術(shù)研發(fā)等；對(duì)于儲(chǔ)槽運(yùn)輸，運(yùn)輸半徑亦有所擴(kuò)大，一般為 200km 左右，使用量 適中，主要用于制造業(yè)，比如汽車、造船、食品加工、半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、平板顯示等。現(xiàn)場(chǎng) 制氣是在客戶端建造現(xiàn)場(chǎng)制氣裝置，并通過(guò)管網(wǎng)供應(yīng)氣體，使用量較大，主要用于工業(yè)領(lǐng)域， 比如鋼鐵、煉油、石化行業(yè)等。

受益于工業(yè)化進(jìn)程推動(dòng)，全球及中國(guó)工業(yè)氣體市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步提升。根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，全球工業(yè) 氣體市場(chǎng)規(guī)模 2021 年為 9432 億元，預(yù)計(jì) 2022 年將達(dá)到 10238 億元，2026 年將達(dá)到 13299 億元。中國(guó)工業(yè)氣體行業(yè)在 20 世紀(jì) 80 年代末期已初具規(guī)模，到 90 年代后期開(kāi)始快速發(fā)展， 2021 年為 1798 億元，預(yù)計(jì) 2022 年將達(dá)到 1964 億元，2026 年將達(dá)到 2842 億元。

市場(chǎng)格局方面，根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院和億渡數(shù)據(jù)，2021 年全球工業(yè)氣體廠商中，林德/液化 空氣/空氣化工/大陽(yáng)日酸排名前 4，市占率分別為 21%/20%/7%/5%，CR4 合計(jì)占比 53%， 此外客戶自建占比 20%，其他占比 27%。2020 年中國(guó)工業(yè)氣體市場(chǎng)中，林德/液化空氣/氣體 動(dòng) 力 / 空氣化工 / 杭氧股份 / 大陽(yáng)日酸 排名前 6 ， 市 占 率 分 別 為 21.9%/20.7%/10.1%/10.1%/6.3%/3%，CR6 合計(jì)占比 72%，其他占比 28%。

全球工業(yè)氣體市場(chǎng)目前已經(jīng)形成寡頭壟斷的局面，工業(yè)氣體市場(chǎng)在歐美日步入后工業(yè)化時(shí)代 后逐步興起，經(jīng)過(guò)多年以來(lái)的發(fā)展及并購(gòu)整合，目前已形成德國(guó)林德和法國(guó)液化空氣為第一 梯隊(duì)，美國(guó)空氣化工、日本大陽(yáng)日酸和德國(guó)梅塞爾為第二梯隊(duì)的全球市場(chǎng)格局。全球工業(yè)氣 體 CR4 近年來(lái)基本維持在 50%以上。

工業(yè)氣體的經(jīng)營(yíng)模式可分為自建裝置供氣與外包供氣，其中外包供氣又分為液態(tài)氣體、管道 氣體和瓶裝氣體三種供氣模式。傳統(tǒng)上大型鋼鐵冶煉、化工企業(yè)選擇自行建造空氣分離裝置， 從而滿足自身氣體需求。但是由于空分設(shè)備的實(shí)際產(chǎn)量與企業(yè)用氣需求存在一定差異，再加 之供氣不穩(wěn)定的影響，導(dǎo)致企業(yè)設(shè)備綜合利用率較低，當(dāng)期無(wú)法消耗的產(chǎn)品多被放空，造成 資源浪費(fèi)現(xiàn)象突出；對(duì)于數(shù)目眾多、用氣規(guī)模較小的中小型工業(yè)用戶而言，目前則主要改為 采用外包給專業(yè)氣體生產(chǎn)企業(yè)供氣這種更經(jīng)濟(jì)的模式。發(fā)達(dá)國(guó)家供氣外包比例為 80% ，自建 比例為 20%，中國(guó) 2021 年外包比例為 65%，與發(fā)達(dá)國(guó)家相比外包占比仍有待提升。

2）大宗氣體： 大宗氣體方面，根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，中國(guó)大宗氣體市場(chǎng)規(guī)模 2021 年為 1456 億元，預(yù)計(jì) 2022 年 將達(dá)到 1555 億元，2026 年將達(dá)到 2034 億元。組成結(jié)構(gòu)上，空分氣體占絕大部分，2021 年 占比 92.8%，合成氣體占 7.2%。

根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，中國(guó)大宗氣體企業(yè)中，氣體動(dòng)力占比 12.3%，杭氧股份占比 4.1%，和遠(yuǎn)氣體 和凱美特氣分別占比 0.6%和 0.4%，CR4 合計(jì)占比 17.4%。各類氣體市場(chǎng)分布來(lái)看，氧氣和 氮?dú)庹急茸畲螅渲醒鯕庹?45%，氮?dú)庹?36%，氬氣占 2%，氫氣占 2.3%，二氧化碳占 1.6%。 氧氣下游應(yīng)用中，最主要的應(yīng)用為鋼鐵冶煉/機(jī)械制造/化工，占比分別為 57%/18%/12% ，合 計(jì)占比 87%。氮?dú)庀掠蜗鄬?duì)均衡，化工/采礦/電子/食品醫(yī)藥/鋼鐵冶金/機(jī)械制造占比分別為 23%/18%/16%/15%/10%/9%。

3）特種氣體： 特種氣體是隨著電子行業(yè)的興起而在工業(yè)氣體門類下逐步細(xì)分發(fā)展起來(lái)的新興產(chǎn)業(yè)，廣泛應(yīng) 用于集成電路、顯示面板、光伏能源、光纖光纜、新能源汽車、航空航天、環(huán)保、醫(yī)療等領(lǐng) 域。特種氣體的主要生產(chǎn)工序包括氣體合成、氣體純化、氣體混配、氣瓶處理、氣體充裝、 氣體分析檢測(cè)。

全球特種氣體市場(chǎng)規(guī)模受益下游需求拉動(dòng)將實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)。根據(jù) Grand View Research 和 Research and Markets 數(shù)據(jù)，全球特種氣體 2021 年為 100.7 億美元，預(yù)計(jì) 2028 年將達(dá)到 188.2 億美元。根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，中國(guó)特種氣體 2021 年市場(chǎng)規(guī)模為 342 億元，其中電子特氣 216 億元，占比 63.2%；其他特種氣體 126 億元，占比 36.8%。預(yù)計(jì) 2022 年將達(dá)到 409 億 元，其中電子特氣 264 億元，占比 64.5%；其他特種氣體 145 億元，占比 35.5%。預(yù)計(jì) 2025 年將達(dá)到 691 億元，其中電子特氣 435 億元，占比 63.0%；其他特種氣體 256 億元，占比 37.0%。

4）電子氣體： 電子氣體分為電子特種氣體和電子大宗氣體，廣義的“電子氣體”指可用于電子工業(yè)生產(chǎn)中 使用的氣體，是最重要原材料之一，狹義的“電子氣體”特指可用于電子半導(dǎo)體領(lǐng)域生產(chǎn)的 特種氣體。 電子特氣是工業(yè)氣體中附加值較高的品種，與傳統(tǒng)工業(yè)氣體的區(qū)別在于純度更高（如高純氣 體）或者具有特殊用途（如參與化學(xué)反應(yīng)），主要用于集成電路、顯示面板、LED 照明、太陽(yáng) 能電池等領(lǐng)域，涉及的工藝主要有硅片制造、氧化、光刻、刻蝕、CVD、離子注入、摻雜、 成膜、外延片制造等。

根據(jù) TECHCET 數(shù)據(jù)，2020 年全球電子氣體市場(chǎng)格局主要被美國(guó)空氣化工、德國(guó)林德（2018 年與美國(guó)普萊克斯合并）、法國(guó)液化空氣以及日本大陽(yáng)日酸占據(jù)，合計(jì)占比 77%，其中林德 占比 28%、液化空氣占比 25%、大陽(yáng)日酸占比 13%、空氣化工占比 11%。根據(jù)中國(guó)化工信 息中心數(shù)據(jù)，2019 年中國(guó)電子氣體市場(chǎng)同樣被空氣化工、林德、液化空氣以及大陽(yáng)日酸主導(dǎo)， 其中空氣化工占比 25%、林德占比 23%、液化空氣占比 23%、大陽(yáng)日酸占比 17%，合計(jì)占 比 88%，國(guó)內(nèi)氣體公司合計(jì)占比 12%。

根據(jù) TECHCET 數(shù)據(jù)，2021 年全球電子特氣市場(chǎng)規(guī)模約 45.4 億美元，預(yù)計(jì) 2022 年將達(dá)到 50 億美元，預(yù)計(jì) 2025 年將達(dá)到 60.2 億美元。按照下游應(yīng)用來(lái)看，根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，集成電路 是電子特氣下游最大應(yīng)用，占比 43%，液晶顯示占比 21%，LED 占比 13%，光伏占比 6%， 其他領(lǐng)域占比 17%。 根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2021 年中國(guó)電子特氣市場(chǎng)規(guī)模約 196 億元，預(yù)計(jì) 2022 年將達(dá)到 220. 8 億 元，預(yù)計(jì) 2025 年將達(dá)到 316.6 億元。按照下游應(yīng)用來(lái)看，根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，集成電路占比 43%， 顯示面板占比 21%，LED 占比 13%，光伏占比 6%，合計(jì)占比 83%。在半導(dǎo)體中，刻蝕用 氣占比 36%，摻雜用氣占比 34%，外延沉積+光刻+其他用氣合計(jì)占比 30%。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國(guó)特種氣體在市場(chǎng)占有率、產(chǎn)品品種、純度、包裝物處理、檢測(cè)技術(shù)、運(yùn) 維管理服務(wù)水平等方面均與國(guó)外氣體巨頭有較大差距。從原材料純度開(kāi)始，到合成工藝、對(duì) 溫度和壓力的控制，再到提純方法和分析方法，以及產(chǎn)品充裝過(guò)程中對(duì)雜質(zhì)的控制，每個(gè)環(huán) 節(jié)都會(huì)影響整個(gè)產(chǎn)品的質(zhì)量。目前中國(guó)廠商在傳統(tǒng)及中低端產(chǎn)品方面已經(jīng)形成了規(guī)模優(yōu)勢(shì)， 但在高端氣體尤其是特氣方面，與國(guó)外廠商的差距仍然比較明顯，很多產(chǎn)品幾乎都被外資企 業(yè)所壟斷。目前外資在產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)業(yè)規(guī)模上均具有較大優(yōu)勢(shì)，中國(guó)廠商還有很多特氣不能 生產(chǎn)，很多產(chǎn)品還處于進(jìn)口替代過(guò)程中。

此外，與國(guó)外氣體公司相比，大部分中國(guó)廠商的供應(yīng)產(chǎn)品仍較為單一，純度級(jí)別不高，尤其 在集成電路、液晶面板、LED、光纖通信、光伏等高端領(lǐng)域，相關(guān)特種氣體產(chǎn)品主要依賴進(jìn) 口。根據(jù)中國(guó)工業(yè)氣體工業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)僅能生產(chǎn)約 20%的集成電路生產(chǎn)用特種氣體品種， 其余均依賴進(jìn)口，主要集中在清洗、蝕刻、光刻等環(huán)節(jié)，對(duì)摻雜、沉積等工藝的特種氣體僅 有少部分品種取得突破。 中國(guó)廠商主要有華特氣體、金宏氣體、昊華科技、綠菱氣體、派瑞特氣、和遠(yuǎn)氣體、雅克科 技、南大光電、久策氣體等。其中華特氣體自主研發(fā)的 Ar/F/Ne、Kr/Ne、Ar/Ne 和 Kr/F/Ne 這 4 種混合氣在 2017 年得到全球最大光刻機(jī)制造廠商 ASML 的認(rèn)證，全球僅 4 家，公司是 中國(guó)唯一的一家得到認(rèn)證的氣體公司，公司的拳頭產(chǎn)品 4 款光刻氣（Ar/Ne/Xe、Kr/Ne、 F2/Kr/Ne、F2/Ar/Ne）也通過(guò)了 ASML 和 Gigaphoton 的認(rèn)證，是國(guó)內(nèi)唯一通過(guò)兩家認(rèn)證的 氣體公司。部分產(chǎn)品已批量供應(yīng) 14nm、7nm 等產(chǎn)線，并且部分氟碳類產(chǎn)品已進(jìn)入到 5nm 工 藝中使用；派瑞特氣生產(chǎn)的三氟化氮、六氟化鎢及三氟甲磺酸系列產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)市占率第一； 金宏氣體率先打破高純氨技術(shù)壟斷；昊華科技的六氟化硫和三氟化氮、南大光電的磷烷和砷 烷等都也通過(guò)自主研發(fā)打破了國(guó)外技術(shù)壟斷。

2.3 掩膜版：45nm 以下晶圓廠自行配套，獨(dú)立第三方占比 35%

掩膜版（Photomask），又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等，是下游產(chǎn)品制造過(guò)程中 圖形“底片”轉(zhuǎn)移用的高精密工具，是承載圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的載體。光 掩模是用于集成電路制造工序的重要器件，通過(guò)制作光掩膜底板、繪圖、顯影、蝕刻以及去 除光致抗蝕劑等步驟，便成功制成掩膜版。

掩膜版主要由基板和遮光膜組成，其中基板又分為樹(shù)脂基板、玻璃基板，玻璃基板按照材質(zhì) 可分為石英玻璃基板、蘇打玻璃基板等，石英玻璃性能穩(wěn)定、熱膨脹率低，主要用于高精度 掩膜版制作。遮光膜分為硬質(zhì)遮光膜和乳膠，硬質(zhì)遮光膜又分為鉻、硅、氧化鐵、氧化鋁。

掩膜版從誕生之初至今，已經(jīng)發(fā)展到第五代產(chǎn)品，分別經(jīng)歷了手工刻紅膜、菲林版、干版、氧化鐵、蘇打和石英版，前四代產(chǎn)品有的已經(jīng)被淘汰，有的仍在部分行業(yè)小范圍使用，第五 代蘇打和石英掩膜版自 20 世紀(jì) 70 年代出現(xiàn)后，目前應(yīng)用范圍最廣。雖然現(xiàn)階段無(wú)掩膜技術(shù) 能滿足一些精度要求相對(duì)較低的行業(yè)（如 PCB 板）中圖形轉(zhuǎn)移的需求，但因?yàn)槠渖a(chǎn)效率低 下，所以對(duì)圖形轉(zhuǎn)移精度以及生產(chǎn)效率要求高的行業(yè)，仍然需要使用掩膜版，被快速迭代的 風(fēng)險(xiǎn)低。

掩膜版產(chǎn)業(yè)鏈上游包括掩膜基板、光學(xué)膜、化學(xué)試劑和包裝盒等輔助材料，中游為掩膜版制 作，下游包括半導(dǎo)體（IC 制造、IC 封測(cè)、器件、LED 芯片）、平板顯示、觸控和 P CB 等， 終端應(yīng)用包括消費(fèi)電子、家用電器、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、工控等。 按用途分，光掩膜版可分為鉻版（chrome）、干版、液體凸版和菲林。其中，鉻版由于精度 高，耐用性好，被廣泛用于 IC、平板顯示、PCB 等行業(yè)；干版、液體凸版和菲林則主要被用 于中低精度的 LCD 行業(yè)、PCB 及 IC 載板等行業(yè)。從下游應(yīng)用來(lái)看，IC 和平板顯示占比最 大，其中半導(dǎo)體占據(jù) 60%，LCD 占比 23%，OLED 占比 5%，PCB 占比 2%。

全球獨(dú)立第三方掩膜版廠商主要集中在日本和美國(guó)，包括日本 Toppan（凸版印刷）、日本 DNP （大日本印刷）、美國(guó) Photronics（福尼克斯）、日本 HOYA（豪雅）、日本 SKE（SK 電子）、 韓國(guó) LG-IT（LG Innotek，LG 集團(tuán)子公司）等，此外還有中國(guó)廠商中國(guó)臺(tái)灣光罩、路維光電 和清溢光電等。LG-IT 和 SKE 的掩膜版產(chǎn)品主要布局在平板顯示領(lǐng)域，均擁有 G11 掩膜版 生產(chǎn)線；Toppan 和中國(guó)臺(tái)灣光罩掩膜版產(chǎn)品主要布局在半導(dǎo)體領(lǐng)域；Photronics、DNP、 HOYA 的掩膜版產(chǎn)品同時(shí)布局在平板顯示和半導(dǎo)體領(lǐng)域，均擁有 G11 掩膜版生產(chǎn)線；清溢光 電和路維光電的掩膜版主要布局在平板顯示領(lǐng)域，此外還包括半導(dǎo)體、觸控和 PCB/FP C 等 領(lǐng)域。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，光掩膜生產(chǎn)應(yīng)商可以分為晶圓廠/IDM 廠自行配套的工廠和獨(dú)立第三方光掩膜 廠商兩大類，包括英特爾、三星、臺(tái)積電、中芯國(guó)際、華潤(rùn)微（迪思微）等均有自制掩模版 業(yè)務(wù)。由于掩膜版涉及 Foundry 廠技術(shù)機(jī)密，因此 Foundry 廠先進(jìn)制程（45nm 以下）所用 的掩膜版大部分由自己的專業(yè)工廠生產(chǎn)，但對(duì)于 45nm 以上等比較成熟的制程所用的標(biāo)準(zhǔn)化 程度更高的掩膜版，F(xiàn)oundry 廠為了降低成本，更傾向于向獨(dú)立第三方掩膜版廠商進(jìn)行采購(gòu)。 根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，全球各國(guó)家/地區(qū)半導(dǎo)體掩膜版市場(chǎng)規(guī)模最大的國(guó)家/地區(qū)分別為中國(guó)臺(tái)灣、 韓國(guó)和北美，2018 年占比分別為 37.7%/21.2%/19.1%，主要原因在于全球主要晶圓廠/IDM 廠包括臺(tái)積電、三星、SK 海力士、英特爾、格芯、聯(lián)電、美光等，產(chǎn)能主要集中在中國(guó)臺(tái)灣、 韓國(guó)和美國(guó)。各廠商市場(chǎng)規(guī)模占比中，晶圓廠/IDM 廠占比穩(wěn)步提升，2008 年占比僅為 39%， 2018 年已達(dá)到 64%，2019 年達(dá)到 65%，獨(dú)立第三方掩膜廠商占比 35%。

中國(guó)大陸?yīng)毩⒌谌桨雽?dǎo)體掩膜版廠商的技術(shù)能力主要集中在 100nm 節(jié)點(diǎn)以上的晶圓制造 用掩膜版以及 IC 封裝/IC 器件掩膜版，與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)有著較為明顯的差距。路維光電作為 國(guó)內(nèi)掩膜版行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，制造能力逐步從封測(cè)環(huán)節(jié)延伸至半導(dǎo)體器件及芯片制造，產(chǎn)品 集中在 300nm/250nm 制程節(jié)點(diǎn)，CD 精度能夠控制在 50nm 水平，逐步向 180nm、150nm、 90nm、65nm 節(jié)點(diǎn)方向發(fā)展。清溢光電已實(shí)現(xiàn) 250nm 工藝節(jié)點(diǎn)的 6 英寸和 8 英寸半導(dǎo)體芯 片用掩膜版的量產(chǎn)，正在推進(jìn)180nm 半導(dǎo)體芯片用掩膜版的客戶測(cè)試認(rèn)證，同步開(kāi)展130nm65nm 半導(dǎo)體芯片用掩膜版的工藝研發(fā)和 28nm 半導(dǎo)體芯片所需的掩膜版工藝開(kāi)發(fā)規(guī)劃。無(wú) 錫中微掩模電子有限公司（簡(jiǎn)稱“中微掩模”）則能夠?qū)崿F(xiàn) 0.13μm 及以上水平的高端集成電 路掩膜版生產(chǎn)和技術(shù)開(kāi)發(fā)。

總體來(lái)說(shuō)，中國(guó)掩膜版廠商產(chǎn)品整體偏中低端，按經(jīng)營(yíng)模式可分為 3 類：第一類是科研院所， 包括中科院半導(dǎo)體所、微電子所、中電科 13/55/47 所等；第二類是獨(dú)立的掩膜版制造廠商， 主要有清溢光電、路維光電、中國(guó)臺(tái)灣光罩等；第三類是晶圓廠自己配套生產(chǎn)掩膜版，主要 有中芯國(guó)際、華潤(rùn)微（迪思微）等。

展望未來(lái)，掩膜版發(fā)展趨勢(shì)主要有 3 個(gè)方向： 1）精度趨向精細(xì)化：平板顯示領(lǐng)域，顯示屏的顯示精度將從 450PPI（Pixel Per Inch，每英 寸像素）逐步提高到 650PPI 以上，對(duì)平板顯示掩膜版的半導(dǎo)體層、光刻分辨率、最小過(guò)孔、 CD 均勻性、套合精度、缺陷大小、潔凈度均提出了更高的技術(shù)要求。半導(dǎo)體領(lǐng)域，摩爾定 律了繼續(xù)有效，將朝著 4nm 及以下繼續(xù)突破，這對(duì)與之配套的晶圓制造以及芯片封裝掩膜版 提出了更高要求，工藝制程要求將越來(lái)越高，先進(jìn)制程占比有望越來(lái)越大。未來(lái)掩膜版產(chǎn)品 的精度將日趨精細(xì)化； 2）尺寸趨向大型化：隨著電視尺寸趨向大型化，帶動(dòng)面板基板逐步趨向大型化，直接決定了 掩膜版產(chǎn)品尺寸趨向大型化； 3）掩膜版廠商向上游產(chǎn)業(yè)鏈延伸：掩膜版的主要原材料為掩膜版基板，為了降低原材料采購(gòu) 成本，控制終端產(chǎn)品質(zhì)量，掩膜版廠商已經(jīng)開(kāi)始陸續(xù)向上游產(chǎn)業(yè)鏈延伸，HOYA、LG-IT 等部 分企業(yè)已經(jīng)具備了研磨/拋光、鍍鉻、光阻涂布等掩膜版全產(chǎn)業(yè)鏈的生產(chǎn)能力，路維光電和清 溢光電則在光阻涂布方面實(shí)現(xiàn)了突破。未來(lái)掩膜版行業(yè)內(nèi)具有一定實(shí)力的企業(yè)，將逐步向上 游產(chǎn)業(yè)鏈拓展。

2.4 光刻膠及配套材料：日本廠商全面占優(yōu)，南大光電 ArF 50nm 認(rèn)證通過(guò)

光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)光刻工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的 圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的 關(guān)鍵性材料。主要由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等主要化學(xué)品成分和其他助劑組成。光 刻膠按曝光后的溶解性分為正膠和負(fù)膠，正膠的曝光部分溶于顯影液，負(fù)膠的未曝光部分溶 于顯影液，相對(duì)而言，正膠比負(fù)膠的精度要高。 光刻膠上游原材料包括樹(shù)脂、單體、光引發(fā)劑等，樹(shù)脂構(gòu)成光刻膠的基本骨架，決定曝光后 的基本性能，比如硬度、柔韌性、附著力、熱穩(wěn)定性等；單體參與光固化反應(yīng)，能降低光固 化體系黏度，調(diào)節(jié)光固化材料性能；光引發(fā)劑則對(duì)光刻膠的感光度、分辨率等起決定作用。 根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，光刻膠原材料成本占比中，樹(shù)脂占比 50%，單體占比 35% ，光引 發(fā)劑及助劑占比 15%。

根據(jù)下游應(yīng)用的不同，光刻膠分為 PCB 光刻膠、平板顯示光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠，光刻膠工 藝制程也經(jīng)歷了微米級(jí)、亞微米級(jí)、深亞微米級(jí)和納米級(jí)的演進(jìn)過(guò)程。其中半導(dǎo)體光刻膠的 技術(shù)指標(biāo)要求最高，具體又分為 g 線/i 線/KrF/ArF/ArFi 和 EUV 光刻膠，波長(zhǎng)依次遞減，制程 節(jié)點(diǎn)越來(lái)越先進(jìn)。

全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)，根據(jù) Data Bridge 和 Reportlinker 數(shù)據(jù)，2021 年全球光刻膠 市場(chǎng)規(guī)模 91.8 億美元，預(yù)計(jì) 2026 年將達(dá)到 123 億美元。

出貨量角度，根據(jù) TECHCET 數(shù)據(jù)，2020 年 g&i 線/KrF/ArF/ArFi/EUV 光刻膠出貨量分別為 3658/3307/549/1190/18 千升，2021 年出貨量分別為 3762/3704/580/1291/35 千升，預(yù)計(jì)到 2025 年將分別增長(zhǎng)至 4048/4965/602/1630/145 千升。2020-2025 年 CAGR 中，E UV 光刻 膠增速最快，CAGR 為 53%，其次是 ArFi 光刻膠，CAGR 為 16.7%，因此，未來(lái)先進(jìn)制程 光刻膠出貨量將受益于先進(jìn)制程產(chǎn)能占比提升而快速增加。 下游應(yīng)用方面，根據(jù) TECHCET 數(shù)據(jù)，2021 年邏輯電路/DRAM/非易失性存儲(chǔ)器出貨量分別 為 5954/1565/1853 千升，預(yù)計(jì)到 2025 年將分別增加至 6774/1615/3002 千升。

全球半導(dǎo)體光刻膠主要產(chǎn)能集中在日本和美國(guó)，根據(jù) TECHCET 數(shù)據(jù)，2020 年廠商市場(chǎng)格 局中，東京應(yīng)化（TOK）/合成橡膠（JSR）/杜邦（DuPont）/住友化學(xué)（Sumitomo）/信越 化學(xué)（Shin-Etsu）/富士膠片（Fujifilm）占比分別為 23%/21%/16%/15%/10%/8%，CR6 達(dá) 到 93%，市場(chǎng)集中度高。 細(xì)分產(chǎn)品來(lái)看， 2021 年 g&i 線 /KrF/ArF/ArFi/EUV 光刻膠 市場(chǎng)規(guī)模 分別為 2.92/6.9/1.96/7.59/0.51 億美元，占比分別為 14.7%/34.7%/9.9%/38.2%/2.6%；預(yù)計(jì)到 2025 年將分別增長(zhǎng)至 2.9/9.07/1.88/8.84/1.97 億美元，EUV 光刻膠占比將從 2.6%提升至 8%，先 進(jìn)制程光刻膠占比將持續(xù)提升。 根據(jù) TOK 和 Fujifilm 數(shù)據(jù)，2020 年各細(xì)分產(chǎn)品廠商市場(chǎng)格局： g/i 線：東京應(yīng)化占比 25.2%，杜邦占比 19.1%，住友化學(xué)占比 15.7%；KrF：東京應(yīng)化占比 31.4%，信越化學(xué)占比 21.9%，合成橡膠占比 20.9%，杜邦占比 10.9%； ArF：合成橡膠占比24.9%，信越化學(xué)占比 21.8%，住友化學(xué)占比 16.8%，東京應(yīng)化占比15.8%； EUV：東京應(yīng)化占比 51.8%。

在各類光刻膠中，中國(guó)廠商和外資廠商對(duì)比來(lái)看，中國(guó) PCB/LCD/半導(dǎo)體光刻膠廠商占比分 別為 61%/35%/29%。中國(guó) 2019 年光刻膠市場(chǎng)規(guī)模方面，PCB 光刻膠為 82 億元，LCD 光 刻膠為 8.4 億美元，半導(dǎo)體光刻膠為 20.7 億元。

LCD 光刻膠廠商主要集中在日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣，其中彩色光刻膠方面，JSR、LG 化學(xué) 東洋油墨、奇美、達(dá)興等合計(jì)占比超過(guò) 90%，中國(guó)廠商主要有永太科技、雅克科技、彤程新 材（北旭電子）等，國(guó)產(chǎn)化率為 5%；黑色光刻膠方面，TOK、新日鐵化學(xué)、三菱化學(xué)等合計(jì) 占比超過(guò) 90%，中國(guó)廠商主要有上海新陽(yáng)、江蘇博硯等，國(guó)產(chǎn)化率為 5%。 半導(dǎo)體光刻膠廠商主要集中在日本和美國(guó)，東京應(yīng)化（TOK）、合成橡膠（JSR）、杜邦（DuPont）、 住友化學(xué)（Sumitomo）、信越化學(xué)（Shin-Etsu）和富士膠片（Fujifilm）合計(jì)占比達(dá)到 93%。 g/i 線光刻膠中國(guó)廠商主要有晶瑞電材（蘇州瑞紅）、彤程新材（北京科華）等，國(guó)產(chǎn)化率為 10%。KrF 光刻膠中國(guó)廠商主要有彤程新材（北京科華）、上海新陽(yáng)、晶瑞電材（蘇州瑞紅）、 華懋科技（徐州博康）等，國(guó)產(chǎn)化率為 1%。ArF 光刻膠已經(jīng)布局的中國(guó)廠商主要有南大光 電、晶瑞電材（蘇州瑞紅）、彤程新材（北京科華）、上海新陽(yáng)、華懋科技（徐州博康）等， 國(guó)產(chǎn)化率為 1%。EUV 光刻膠中國(guó)廠商目前尚無(wú)產(chǎn)品問(wèn)世。

2.5 濕電子化學(xué)品：分為通用+功能，中國(guó)廠商部分產(chǎn)品已達(dá)到 G5 等級(jí)

濕電子化學(xué)品（Wet Chemicals）是微電子、光電子濕法工藝制程中使用的各種液體化工材 料，廣泛用于半導(dǎo)體、顯示面板、光伏、LED 等電子元器件微細(xì)加工的清洗、光刻、顯影、 蝕刻、摻雜等工藝環(huán)節(jié)配套使用，是半導(dǎo)體、顯示面板、光伏等制作過(guò)程中不可缺少的關(guān)鍵 性材料之一。從大類來(lái)分，一般可劃分為通用濕電子化學(xué)品和功能濕電子化學(xué)品。 通用濕電子化學(xué)品指在半導(dǎo)體、顯示面板、光伏等制造工藝中被大量使用的液體化學(xué)品，一 般為單成份、單功能化學(xué)品，具體分為酸類、堿類、有機(jī)溶劑類和其他類，產(chǎn)品包括氫氟酸、硫酸、氫氧化鉀、氫氧化鈉、甲醇、丙酮、過(guò)氧化氫等。 功能濕電子化學(xué)品指通過(guò)復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的復(fù)配類化學(xué)品， 以光刻膠配套材料為代表，產(chǎn)品有顯影液、剝離液、清洗液、蝕刻液、稀釋液等，一般配合 光刻膠使用，應(yīng)用于晶圓制造的涂膠、顯影和去膠工藝。

濕電子化學(xué)品在集成電路中的應(yīng)用主要為刻蝕和清洗等，包括硅片、晶圓制造、光罩制作以 及封裝工藝等，具體分為擴(kuò)散前清洗、刻蝕后清洗、離子注入后清洗、光罩過(guò)程蝕刻清洗、 封裝 TSV 清洗、鍵合清洗等。

全球濕電子化學(xué)品通常執(zhí)行 SEMI 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)主要包括金屬雜質(zhì)、控制粒徑、 顆粒數(shù)、IC 線寬等。根據(jù)指標(biāo)的不同，分為 G1-G5 共 5 個(gè)等級(jí)，等級(jí)越高精細(xì)度越高。濕 電子化學(xué)品在下游應(yīng)用領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)有所不同，其中光伏和分立器件集中在 G1 級(jí)，面板集中 在 G2-G4 級(jí)，集成電路對(duì)純度要求最高，集中在 G3-G5 級(jí)，而且晶圓尺寸越大對(duì)純度要求 越高，12 英寸晶圓制造通常需要 G4-G5 級(jí)。

需求量方面，根據(jù)中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2021 年全球濕電子化學(xué)品需求量為 458. 3 萬(wàn) 噸，半導(dǎo)體需求量 209 萬(wàn)噸，顯示面板需求量 167.2 萬(wàn)噸，光伏等其他需求量 82.1 萬(wàn)噸。 預(yù)計(jì)到 2025 年全球濕電子化學(xué)品需求量將達(dá)到 697.2 萬(wàn)噸，半導(dǎo)體需求量 313 萬(wàn)噸，顯示 面板需求量 244 萬(wàn)噸，光伏等其他需求量 140.2 萬(wàn)噸。 2021 年中國(guó)濕電子化學(xué)品需求量為 213.5 萬(wàn)噸，半導(dǎo)體需求量 70.3 萬(wàn)噸，顯示面板需求量 77.8 萬(wàn)噸，光伏需求量 65.4 萬(wàn)噸。預(yù)計(jì)到 2025 年中國(guó)濕電子化學(xué)品需求量將達(dá)到 369. 6 萬(wàn) 噸，半導(dǎo)體需求量 106.9 萬(wàn)噸，顯示面板需求量 149.5 萬(wàn)噸，光伏需求量 113.1 萬(wàn)噸。

中國(guó)濕電子化學(xué)品在半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，需求量較大的產(chǎn)品包括：硫酸 32.8%、雙氧水 28.1%、 氨水 8.3%、顯影液 6.0%、氫氟酸 5.9%，前 4 種主要應(yīng)用于晶圓的濕清洗； 在顯示面板領(lǐng)域，需求較大的產(chǎn)品包括：磷酸41.3%、硝酸24.06%、MEA 等極性溶液15.8%、 醋酸 9.59%； 在光伏領(lǐng)域，需求量較大的產(chǎn)品包括：氫氟酸 31.39%、硝酸 21.17%、氫氧化鉀 24. 06%、 鹽酸 11.04%，這 4 種產(chǎn)品主要應(yīng)用于晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨加工及其清洗。

供應(yīng)商格局方面，全球濕電子化學(xué)品主要廠商在歐美和日本，其次還包括韓國(guó)、中國(guó)大陸和 中國(guó)臺(tái)灣。根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2020 年全球濕電子化學(xué)品供應(yīng)格局中，歐美占比 3 1%， 日本占比 29%，韓國(guó)和中國(guó)大陸占比均為 15%，中國(guó)臺(tái)灣占比 8%。國(guó)產(chǎn)化率方面，中國(guó)廠 商在光伏領(lǐng)域已基本實(shí)現(xiàn)自主供應(yīng)；顯示面板領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化率為 40%；半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ξa(chǎn)品性能 要求最高，國(guó)產(chǎn)化率最低，整體國(guó)產(chǎn)化率為 23%，8 英寸及以上不足 20%，在半導(dǎo)體領(lǐng)域， 國(guó)產(chǎn)替代空間最大。

在低端濕電子化學(xué)品領(lǐng)域，中國(guó)有較多廠商已經(jīng)掌握相關(guān)生產(chǎn)技術(shù)，競(jìng)爭(zhēng)較為激烈，這類產(chǎn) 品主要應(yīng)用于光伏領(lǐng)域。而在高端濕電子化學(xué)品領(lǐng)域，國(guó)外廠商占據(jù)大部分市場(chǎng)，中國(guó)廠商 由于起步較晚，技術(shù)水平與全球領(lǐng)先水平仍有一定差距，但中國(guó)廠商具備本土化生產(chǎn)、性價(jià) 比高、供應(yīng)穩(wěn)定等優(yōu)勢(shì)，在部分產(chǎn)品中已經(jīng)搶占了部分市場(chǎng)，未來(lái)國(guó)產(chǎn)替代空間大。 歐美廠商中，主要有德國(guó)巴斯夫、德國(guó)默克、德國(guó)漢高、美國(guó)陶氏杜邦、美國(guó)亞什蘭、美國(guó) 霍尼韋爾、美國(guó) ATMI、美國(guó)空氣化工、美國(guó)英特格等；日本廠商中，主要有關(guān)東化學(xué)、三菱 化學(xué)、住友化學(xué)、信越化學(xué)、Stella 等；韓國(guó)廠商中，主要有東友精細(xì)化工、東進(jìn)世美肯、 Soul-brain 等；中國(guó)臺(tái)灣廠商中，主要有東應(yīng)化、聯(lián)仕、三福化工等；中國(guó)大陸廠商中，主 要有江化微、晶瑞電材、上海新陽(yáng)、安集科技、格林達(dá)、飛凱材料、新宙邦、中巨芯、興福 電子、潤(rùn)瑪股份等。中國(guó)大陸廠商開(kāi)拓進(jìn)取，努力實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，目前部分產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到 SEMI 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) G4 和 G5 等級(jí)，為顯示面板、半導(dǎo)體領(lǐng)域濕電子化學(xué)品的國(guó)產(chǎn)替代奠定了堅(jiān)實(shí)的 基礎(chǔ)。未來(lái)隨著半導(dǎo)體、顯示面板工藝精度提升，對(duì)濕電子化學(xué)品的純度要求也將不斷提高。

2.6 CMP 拋光材料：美日廠商主導(dǎo)，中國(guó)廠商 28nm 產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)突破

CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）環(huán)節(jié)是晶圓制造的關(guān)鍵步驟，可以使晶圓表面達(dá)到高度平坦化、低表 面粗糙度和低缺陷的要求，解決晶圓表面起伏不平導(dǎo)致的光刻無(wú)法準(zhǔn)確對(duì)焦、電子遷移短路、 線寬控制失效等問(wèn)題。

CMP 上游為拋光材料，主要包括拋光墊、拋光液、鉆石碟、清洗液等。CMP 拋光墊是 CMP 環(huán)節(jié)的核心耗材之一，主要作用是儲(chǔ)存和運(yùn)輸拋光液、去除磨屑和維持穩(wěn)定的拋光環(huán)境等。 CMP 拋光液是研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物，可使晶圓表面產(chǎn)生一層氧化膜，再由拋光液 中的磨粒去除，達(dá)到拋光的目的。鉆石碟是 CMP 工藝中必不可少的耗材，用于維持拋光墊 表面一定的粗糙狀態(tài)，通常與 CMP 拋光墊配套使用。清洗液主要用于去除殘留在晶圓表面 的微塵顆粒、有機(jī)物、無(wú)機(jī)物、金屬離子、氧化物等雜質(zhì)，滿足集成電路制造對(duì)清潔度的極 高要求，對(duì)晶圓生產(chǎn)的良率起到了重要作用。中游為晶圓制備，下游應(yīng)用包括消費(fèi)電子、汽 車電子、醫(yī)療等領(lǐng)域。

CMP 工作原理是在一定壓力下及拋光液的存在下，被拋光的晶圓對(duì)拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，借助 納米磨料的機(jī)械研磨作用與各類化學(xué)試劑的化學(xué)作用之間的高度有機(jī)結(jié)合，使被拋光的晶圓 表面達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根據(jù)不同工藝制程和技術(shù)節(jié)點(diǎn)的要求， 每一片晶圓在生產(chǎn)過(guò)程中都會(huì)經(jīng)歷幾道甚至幾十道的 CMP 拋光工藝步驟。與傳統(tǒng)的純機(jī)械 或純化學(xué)的拋光方法不同，CMP 工藝是通過(guò)表面化學(xué)作用和機(jī)械研磨的技術(shù)結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)晶 圓表面微米/納米級(jí)不同材料的去除，從而達(dá)到晶圓表面的高度（納米級(jí)）平坦化效應(yīng)，使下 一步的光刻工藝得以順利進(jìn)行。化學(xué)作用是指拋光液中的化學(xué)品和硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)， 生成比較容易去除的物質(zhì)，物理過(guò)程是指拋光液中的磨粒和硅片表面材料發(fā)生機(jī)械物理摩擦， 去除化學(xué)反應(yīng)生成的物質(zhì)。

根據(jù) Cabot Microelectronics、TECHCET 和觀研天下數(shù)據(jù)，全球 CMP 拋光墊 2016 年市場(chǎng) 規(guī)模為 6.5 億美元，2021 年為 11.5 億美元；全球 CMP 拋光液 2016 年市場(chǎng)規(guī)模為 11 億美 元，2021 年為 18.9 億美元，預(yù)計(jì) 2026 年將達(dá)到 25.3 億美元，其中銅拋光液、鎢拋光液和 氧化物拋光液的市場(chǎng)規(guī)模占比最大，而鈷拋光液和多晶硅拋光液則成為增長(zhǎng)最快的拋光液品 類。

根據(jù) Cabot Microelectronics 數(shù)據(jù)，全球 CMP 拋光墊市場(chǎng)格局中，陶氏杜邦占比 79%，占 據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位，卡博特（Cabot）占比 5%，Thomas West 占比 4%。全球 CMP 拋光液市 場(chǎng)格局中，卡博特（Cabot）占比 33%，日立（Hitachi）占比 13%，F(xiàn)ujimi 占比 10% ，中國(guó) 廠商安集科技占比 2%，排名第 5。

安集科技化學(xué)機(jī)械拋光液包括硅/多晶硅拋光液、淺槽隔離（STI）拋光液、金屬柵極拋光液、 介電材料（二氧化硅、氮化硅）拋光液、鎢拋光液、銅及銅阻擋層拋光液、三維集成（TSV、 混合鍵合等）拋光液、硅襯底拋光液和應(yīng)用于第三代寬帶半導(dǎo)體的拋光液等系列產(chǎn)品。其中， 在用于 28nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn) HKMG 工藝的鋁拋光液取得重大突破，通過(guò)客戶驗(yàn)證，打破了國(guó)外 廠商在該應(yīng)用的壟斷并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在基于氧化鈰磨料的拋光液方面，公司與客戶共同開(kāi)發(fā)的 基于氧化鈰磨料的拋光液產(chǎn)品突破技術(shù)瓶頸，目前已在 3D NAND 先進(jìn)制程中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并在 逐步上量。襯底拋光液方面，公司在硅的精拋液取得突破，技術(shù)性能達(dá)到國(guó)際主流供應(yīng)商的 同等水平，產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先硅片生產(chǎn)廠論證按計(jì)劃順利進(jìn)行；為客戶定制開(kāi)發(fā)的用于第三代 半導(dǎo)體襯底材料的拋光液，進(jìn)展順利，部分產(chǎn)品獲得海外客戶的訂單，拓展了海外市場(chǎng)。

展望未來(lái)，一方面，晶圓制造工藝制程縮小將進(jìn)一步帶來(lái) CMP 工藝步驟增長(zhǎng)，帶動(dòng) CMP 拋 光材料在晶圓制造過(guò)程中的消耗量增加。根據(jù) Cabot Microelectronics 數(shù)據(jù)，250nm 時(shí) CMP 拋光步驟為 8 次，45nm 時(shí) CMP 拋光步驟增加到 17 次，7nm 時(shí) CMP 拋光步驟則增加到 30 次。此外，在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，隨著存儲(chǔ)容量需求增長(zhǎng)，存儲(chǔ)芯片在由 2D NAND 向 3D NAND 升級(jí)過(guò)程中，CMP 拋光步驟由 7 次增加到 15 次，實(shí)現(xiàn)了翻倍增長(zhǎng)。作為主流存儲(chǔ)技術(shù)，3D NAND 層數(shù)也在不斷增加，隨著堆疊層數(shù)增加，CMP 拋光材料的需求量也有望同步增長(zhǎng)。 此外，先進(jìn)封裝的應(yīng)用使 CMP 從晶圓制造前道工藝走向后道工藝。在封裝領(lǐng)域，傳統(tǒng)的 2D 封裝并不需要 CMP 工藝，但隨著系統(tǒng)級(jí)封裝等新的封裝方式的發(fā)展，技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法上出現(xiàn) 了倒裝、凸塊、晶圓級(jí)封裝、TSV 硅通孔、2.5D 封裝和 3D 封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)。其中 TSV 技術(shù)中就需要使用 CMP 工藝進(jìn)行通孔大馬士革銅工藝淀積后的正面拋光，可以平坦化和隔 開(kāi)另一面沉積的導(dǎo)體薄膜，方便進(jìn)行金屬布線，此外，也能用于晶圓背面金屬化和平坦化的 減薄拋光，未來(lái) CMP 拋光材料將在先進(jìn)封裝工藝中尋找到新的市場(chǎng)空間。

2.7 靶材：日美 4 大廠商合計(jì)占比 80%，江豐電子已進(jìn)入 5nm 先端工藝

PVD 技術(shù)是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，指在真空條件下采用物理方法，將某種物質(zhì)表面 氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體（或等離子體）過(guò)程，在基板材 料表面沉積具有某種特殊功能的薄膜材料的技術(shù)。PVD 技術(shù)已成為目前主流鍍膜方法，主要 包括濺射鍍膜和真空蒸發(fā)鍍膜。用于制備薄膜材料的物質(zhì)，統(tǒng)稱為 PVD 鍍膜材料。 濺射鍍膜是指利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度的離子束流， 轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基 板材料表面的技術(shù)。被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜材料的原材料，稱為濺射靶材。濺射 靶材主要由靶坯、背板（或背管）等部分構(gòu)成，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于 濺射靶材的核心部分。濺射鍍膜工藝可重復(fù)性好、膜厚可控制，可在大面積基板材料上獲得 厚度均勻的薄膜，所制備的薄膜具有純度高、致密性好、與基板材料的結(jié)合力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，已 成為制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，各種類型的濺射薄膜材料已得到廣泛的應(yīng)用，濺射靶材 是目前市場(chǎng)應(yīng)用量最大的 PVD 鍍膜材料。

以金屬靶材為例，高純?yōu)R射靶材產(chǎn)業(yè)鏈上游為金屬提純，包括原材料和生產(chǎn)設(shè)備，其中高純 金屬原材料生產(chǎn)成本可占到靶材生產(chǎn)成本的大約 80%，國(guó)外廠商包括斯塔克、住友化學(xué)、霍 尼韋爾、大阪鈦業(yè)等，中國(guó)廠商包括東方鉭業(yè)、寧波創(chuàng)潤(rùn)、紫金礦業(yè)等；生產(chǎn)設(shè)備包括靶材 冷軋系統(tǒng)、等離子噴涂設(shè)備、熱處理爐等 30 多種。 中游為高純?yōu)R射靶材制備，國(guó)外廠商主要有日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等，中國(guó) 廠商主要有江豐電子、有研新材（有研億金）、阿石創(chuàng)等。在濺射鍍膜過(guò)程中，濺射靶材需要 安裝在機(jī)臺(tái)中完成濺射反應(yīng)，濺射機(jī)臺(tái)專用性強(qiáng)、精密度高，市場(chǎng)長(zhǎng)期被美國(guó)、日本公司壟 斷，主要廠商包括美國(guó) AMAT（應(yīng)用材料）、日本 ULVAC（愛(ài)發(fā)科）、日本 ANELVA 、美國(guó) Varian（瓦里安）等。 下游應(yīng)用主要包括半導(dǎo)體（占比 20%）、平板顯示（占比 30%）、太陽(yáng)能電池（占比 18%） 等，主要廠商有臺(tái)積電、聯(lián)電、SK 海力士、中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、三星電子、LG Display、 京東方、華星光電、SunPower（太陽(yáng)能源）、天合光能等。

濺射靶材的種類較多，按照不同的標(biāo)準(zhǔn)，能夠?qū)R射靶材分為不同的類別。按形狀分類，分 為平面靶材、旋轉(zhuǎn)靶材等；按化學(xué)成分分類，分為金屬靶材、非金屬單質(zhì)靶材、合金靶材、 陶瓷化合物靶材等；按應(yīng)用領(lǐng)域分類，分為半導(dǎo)體靶材、平板顯示靶材、太陽(yáng)能電池靶材、 信息存儲(chǔ)靶材等。

根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，全球靶材市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng)，2016 年為 113 億美元，2020 年為 196 億美元。中國(guó)靶材市場(chǎng) 2016 年為 177 億元，2020 年為 337 億元。下游重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域中，全 球半導(dǎo)體靶材 2021 年為 16.95 億美元，其中晶圓制造用靶材 10.5 億美元，封裝用靶材 6.45 億美元；中國(guó)半導(dǎo)體/平板顯示/太陽(yáng)能電池靶材 2020 年分別為 17/150/31.7 億元。

全球范圍內(nèi)，高純金屬產(chǎn)業(yè)集中度較高，日本、美國(guó)等國(guó)家的高純金屬生產(chǎn)商依托其提純技 術(shù)在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中居于有利地位，靶材廠商從金屬材料的高純化制備到靶材制造生產(chǎn)具有完 備的技術(shù)垂直整合能力，控制著全球高端電子制造用靶材的主要市場(chǎng)。根據(jù)新材料在線數(shù)據(jù)， 日本日礦金屬占比 30%，美國(guó)霍尼韋爾占比 20%，日本東曹占比 20%，美國(guó)普萊克斯占比 10%，4 大廠商合計(jì)占比 80%。 中國(guó)靶材市場(chǎng)中，外資廠商占比 70%，中國(guó)廠商江豐電子占比 3%、隆華科技（四豐電子、 晶聯(lián)光電）占比 3%、阿石創(chuàng)占比 1%。其中江豐電子和有研新材（有研億金）以半導(dǎo)體靶材 為主，江豐電子與客戶緊密配合，持續(xù)追蹤國(guó)際前沿技術(shù)，產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入 5nm 先端工藝，成 為臺(tái)積電、中芯國(guó)際、SK 海力士、聯(lián)電等全球知名半導(dǎo)體企業(yè)的核心供應(yīng)商。有研新材（有 研億金）的銅系列高端靶材產(chǎn)品全面實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，12 英寸高純銅及銅合金靶材、高純鎳鉑 靶材和高純鈷靶材的多款產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)多家集成電路高端客戶認(rèn)證，開(kāi)始批量供貨，隨著半 導(dǎo)體晶圓集成度越來(lái)越高，靶材也將向著高純度、大尺寸方向發(fā)展。阿石創(chuàng)和隆華科技（四 豐電子、晶聯(lián)光電）則以平板顯示靶材為主。

3、封裝材料：芯片成功出廠的重要保障

芯片封裝工藝流程包括來(lái)料檢查、貼膜、磨片、貼片、劃片、劃片檢測(cè)、裝片、鍵合、塑封、 打標(biāo)、切筋打彎、品質(zhì)檢驗(yàn)，最終是產(chǎn)品出貨。在這一過(guò)程中，就需要用到封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、粘接材料等封裝材料，這些材料是芯片完成封裝出貨 的重要支撐。

3.1 封裝基板：封裝領(lǐng)域第一大材料，中國(guó)大陸廠商積極擴(kuò)產(chǎn) ABF 載板

傳統(tǒng)的 IC 封裝采用引線框架作為 IC 導(dǎo)通線路與支撐 IC 的載體，連接引腳于導(dǎo)線框架的兩 旁或四周，如四側(cè)引腳扁平封裝（Quad Flat Package，簡(jiǎn)稱 QFP）、方形扁平無(wú)引腳封裝 （Quad Flat No-leads，簡(jiǎn)稱 QFN）等。

隨著技術(shù)發(fā)展，IC 的線寬不斷縮小，集成度穩(wěn)步提高，IC 封裝逐步向著超多引腳、窄節(jié)距、 超小型化方向發(fā)展。20 世紀(jì) 90 年代中期，一種以球柵陣列封裝（Ball Grid Array，簡(jiǎn)稱 BGA）、 芯片尺寸封裝（Chip Scale Package，簡(jiǎn)稱 CSP）為代表的新型 IC 高密度封裝形式問(wèn)世， 從而產(chǎn)生了一種新的封裝載體——封裝基板。

根據(jù) Prismark 數(shù)據(jù)，2021 年全球 PCB 行業(yè)產(chǎn)值為 804.49 億美元，同比增長(zhǎng) 23.4% ，預(yù)計(jì) 2021-2026 年全球 PCB 行業(yè)的復(fù)合增長(zhǎng)率為 4.8%。下游應(yīng)用中，通訊占比 32%，計(jì)算機(jī)占 比 24%，消費(fèi)電子占比 15%，汽車電子占比 10%，服務(wù)器占比 10%。 從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來(lái)看，IC 封裝基板和 HDI 板雖然占比不高，分別占比 17.6%和 14.7%，但卻是 主要的增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素。2021 年全球 IC 封裝基板行業(yè)整體規(guī)模達(dá) 141.98 億美元、同比增長(zhǎng) 39.4%，已超過(guò)柔性板成為印制電路板行業(yè)中增速最快的細(xì)分子行業(yè)。2021 年中國(guó) IC 封裝 基板（含外資廠商在國(guó)內(nèi)工廠）市場(chǎng)規(guī)模為 23.17 億美元、同比增長(zhǎng) 56.4%，仍維持快速增 長(zhǎng)的發(fā)展態(tài)勢(shì)。

按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同，封裝基板分為存儲(chǔ)芯片封裝基板、微機(jī)電系統(tǒng)封裝基板、射頻模塊封 裝基板、處理器芯片封裝基板和高速通信封裝基板等，主要應(yīng)用于移動(dòng)智能終端、服務(wù)/存儲(chǔ) 等。 按封裝工藝的不同，封裝基板分為引線鍵合封裝基板（WB）和倒裝封裝基板（FC）等，使 用不同封裝工藝與封裝技術(shù)生產(chǎn)的封裝基板應(yīng)用領(lǐng)域不同。引線鍵合（WB）使用細(xì)金屬線， 利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與芯片焊盤、基板焊盤緊密焊合，實(shí)現(xiàn)芯片與基板 間的電氣互連和芯片間的信息互通，主要應(yīng)用于射頻模塊、存儲(chǔ)芯片、微機(jī)電系統(tǒng)器件封裝； 倒裝（FC）采用焊球連接芯片與基板，即在芯片的焊盤上形成焊球，然后將芯片翻轉(zhuǎn)貼到對(duì) 應(yīng)的基板上，利用加熱熔融的焊球?qū)崿F(xiàn)芯片與基板焊盤結(jié)合，該封裝工藝已廣泛應(yīng)用于 CP U、 GPU 及 Chipset 等產(chǎn)品封裝。將封裝工藝與封裝技術(shù)結(jié)合起來(lái)，又可將封裝基板分為不同類 型。

目前全球封裝基板廠商主要分布在日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣，根據(jù) Prismark 和集微咨詢數(shù)據(jù)， 2020 年封裝基板市場(chǎng)格局較為分散，中國(guó)臺(tái)灣廠商欣興電子/南亞電路/景碩科技/日月光材料 占比分別為 15%/9%/9%/4%，產(chǎn)品主要有 WB 和 FC 封裝基板；日本廠商揖斐電/新光電氣/ 京瓷占比分別為 11%/8%/5%，產(chǎn)品主要為 FC 封裝基板；韓國(guó)廠商三星電機(jī)/信泰電子/大德 電子占比分別為 10%/7%/5%，產(chǎn)品主要為 FC 封裝基板。

按照 FC 基板材質(zhì)又分為 BT 載板和 ABF 載板。BT 樹(shù)脂全稱為“雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂”， 由日本三菱瓦斯公司研發(fā)，雖然 BT 樹(shù)脂專利期已過(guò)，但三菱瓦斯公司在 BT 樹(shù)脂研發(fā)和應(yīng) 用方面仍處于全球領(lǐng)先地位，BT 樹(shù)脂主要生產(chǎn)廠商是三菱瓦斯和日立化成。BT 樹(shù)脂具備高 耐熱性（Tg）、抗?jié)裥浴⒌徒殡姵?shù)（Dk）和低散失因素（Df）等多種優(yōu)勢(shì)，但是由于具有 玻纖紗層，較 ABF 材質(zhì)的 FC 基板更硬，且布線較麻煩，雷射鉆孔的難度較高，無(wú)法滿足細(xì) 線路要求，但可以穩(wěn)定尺寸，防止熱脹冷縮而影響線路良率，因此 BT 材質(zhì)多用于對(duì)于可靠 度要求較高的網(wǎng)絡(luò)芯片及可程式邏輯芯片。目前，BT 載板多用于手機(jī) MEMS 芯片、通信芯 片、內(nèi)存芯片、射頻芯片、指紋識(shí)別芯片等產(chǎn)品，隨著 LED 芯片的快速發(fā)展，BT載板在 LED 芯片封裝上的應(yīng)用也在快速發(fā)展。

目前全球 ABF 載板主要有 7 大供貨商，中國(guó)臺(tái)灣和日本廠商占據(jù)主導(dǎo)地位。根據(jù) WaferChem 數(shù)據(jù)，市占率分別為：欣興電子 24%、南亞電路 20%、景碩科技 5%、Ibiden（揖斐電）20%、 Shinko（新光電氣）11%、AT&S（奧特斯）11%、Semco（三星電機(jī)）9%，2022 年除 Semco 外，其余廠商于皆有進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。中國(guó)廠商興森科技、深南電路等已經(jīng)有所布局，未來(lái)有望實(shí) 現(xiàn)量產(chǎn)。 ABF 載板的核心原材料之一是 ABF 膜（Ajinomoto Build-up Film），2020 年 ABF 膜全球市 場(chǎng)規(guī)模為 10 億美元，出貨面積達(dá)到 1670 萬(wàn) m2，主要供應(yīng)商 Ajinomoto（味之素）占據(jù)全球 99%市場(chǎng)份額。其他廠商則主要包括日本的 Sekisui Chemical（積水化學(xué)）和中國(guó)臺(tái)灣的晶 化科技，晶化科技為中國(guó)臺(tái)灣首家自主研發(fā) ABF 膜的廠商，目前其 TBF 產(chǎn)品已通過(guò)多家廠 商的驗(yàn)證并已小量出貨。

3.2 引線框架：IC 與功率器件載體，自主化率較高

引線框架是一種集成電路芯片載體，并借助于鍵合絲使芯片內(nèi)部電路引出端（鍵合點(diǎn)）通過(guò) 內(nèi)引線實(shí)現(xiàn)與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件。主要作用包括穩(wěn)固芯片、傳導(dǎo)信號(hào)、傳輸熱量等，核心性能指標(biāo)有強(qiáng)度、彎曲、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、耐熱性、熱匹配、耐 腐蝕、步進(jìn)性、共面形、應(yīng)力釋放等，均需要達(dá)到較高標(biāo)準(zhǔn)。 根據(jù)所應(yīng)用半導(dǎo)體產(chǎn)品的不同，引線框架可以分為應(yīng)用于集成電路的引線框架和應(yīng)用于分立 器件的引線框架兩大類。集成電路應(yīng)用范圍廣，有 DIP、SOP、QFP、BGA、CSP 等多種封 裝方式；分立器件主要是各種晶體管，封裝上大都采用 TO、SOT 這兩種封裝方式。 根據(jù)生產(chǎn)工藝不同，引線框架分為沖壓型和蝕刻型兩種。按照國(guó)際生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，100 腳位以上 主要采用蝕刻型生產(chǎn)工藝，100 腳位以下主要采用沖壓型生產(chǎn)工藝。

蝕刻引線框架是通用集成電路封裝材料，此外還有一種柔性引線框架。蝕刻引線框架和柔性 引線框架均屬于引線框架，不同的是蝕刻引線框架是通用集成電路封裝材料（是集成電路 QFN/DFN 封裝形式中的關(guān)鍵材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域較廣），柔性引線框架是智能卡芯片的專用 封裝材料（有國(guó)際規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)），主要起到保護(hù)安全芯片及作為芯片和外界刷卡設(shè)備之間的通訊 接口的作用，二者的相同之處是生產(chǎn)工藝類似。

根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，全球引線框架市場(chǎng)規(guī)模常年保持穩(wěn)定，2020 年為 31.95 億美元，同比增長(zhǎng) 3.5%。市場(chǎng)格局方面，在中國(guó)臺(tái)灣廠商并購(gòu)部分日本廠商之后，目前由日本和中國(guó)臺(tái)灣廠商 占據(jù)主導(dǎo)地位，日本三井高排名第 1，占比 12%；中國(guó)臺(tái)灣長(zhǎng)華科技（收購(gòu)日本住友金屬引 線框架部門）排名第 2，占比 11%；日本新光電氣排名第 3，占比 9%；韓國(guó) HDS（2014 年 由三星 Techwin 剝離）、中國(guó)臺(tái)灣順德工業(yè)、新加坡 ASM、中國(guó)臺(tái)灣界霖科技分列第 4-7 位， 占比分別為 8%/7%/7%/4%；中國(guó)大陸康強(qiáng)電子排名第 8，占比 4%，也是唯一進(jìn)入全球前 10 的中國(guó)大陸廠商。全球前 8 大引線框架企業(yè)掌握了 62%的市場(chǎng)份額。

根據(jù) TechSearch 數(shù)據(jù)，2019 年全球引線框架市場(chǎng)結(jié)構(gòu)方面，IC 引線框架市場(chǎng)規(guī)模 17. 6 億 美元，排名第 1，占比 56%；其次分別是功率引線框架和光電引線框架，市場(chǎng)規(guī)模分別為 7.3 億美元和 6.8 億美元，占比分別為 23%和 21%。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，功率引線框架廠商中，由 中國(guó)臺(tái)灣廠商主導(dǎo)，其中順德工業(yè)/ 界霖科技/長(zhǎng)華科技分列第 1-3 名，占比分別為 16.9%/13%/10.4%。 全球引線框架下游各應(yīng)用領(lǐng)域方面，主要包括汽車、工業(yè)和消費(fèi)者業(yè)務(wù)。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)， 2021 年汽車占比 40%，工業(yè)占比 28%，消費(fèi)者業(yè)務(wù)占比 29%，隨著新能源車滲透率提升， 2022Q1 汽車占比進(jìn)一步提升至 45%，工業(yè)和消費(fèi)者業(yè)務(wù)均下降至 26%。

引線框架也將伴隨著芯片行業(yè)發(fā)展而不斷技術(shù)進(jìn)步，根據(jù)三井高（Mitsui High-tec）預(yù)測(cè)，未 來(lái)將會(huì)向著更小、更薄的封裝方向演進(jìn)，引線框架性能方面則將向著更高可靠性、更低成本 去發(fā)展，具體包括金線削減、金線品種更新、高密度以及膠帶材質(zhì)/形狀的更新。

3.3 鍵合絲：IC 與引線框架電氣連接的橋梁，本土廠商需邁向多元化高端化

鍵合絲是芯片內(nèi)電路輸入輸出連接點(diǎn)與引線框架的內(nèi)接觸點(diǎn)之間實(shí)現(xiàn)電氣連接的微細(xì)金屬 絲，直徑為十幾微米到幾十微米。上游原料主要為黃金、白銀、銅、鋁等金屬，中游為鍵合 絲生產(chǎn)，下游應(yīng)用為集成電路和分立器件等。根據(jù)材質(zhì)不同，分為非合金絲和合金絲，非合 金絲包括金絲、銀絲、銅絲、鋁絲；合金絲包括鍍金銀線、鍍銅鍵合絲。黃金化學(xué)性能穩(wěn)定、 抗氧化、不與酸堿反應(yīng)，由黃金制成的鍵合金絲延展性好、導(dǎo)電性能佳、可靠性高，因此是 使用最早、用量最大的一類。但由于黃金價(jià)格成本較高，鍵合銅絲市占率持續(xù)提升。

作為集成電路和半導(dǎo)體分立器件內(nèi)引線的鍵合金絲純度為 99.99%（4N）。鍵合絲生產(chǎn)主要有 5 個(gè)工藝步驟，第 1 步是精煉，主要進(jìn)行化學(xué)濕式精練和電解提純；第 2 步是熔解及鑄造， 通過(guò)在高頻率熔爐中熔解精制黃金并拉伸鑄造；第 3 步是拉絲，金線通過(guò)一定大小凹槽的 dies，按階段縮小金線直徑；第 4 步是熱處理，通過(guò)加熱調(diào)整鍵合絲的載荷；第 5 步是卷線， 需要根據(jù)客戶要求卷線熱處理后的鍵合絲。隨著芯片集成度越來(lái)越高，鍵合絲直徑將有望向 超細(xì)化方向發(fā)展。

3.4 陶瓷基板：新興散熱材料，日本 3 大廠商合計(jì)占比 50%

隨著功率電子產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)步，散熱問(wèn)題已成為制約其向著大功率與輕型化方向發(fā)展的瓶頸。 陶瓷基板作為新興的散熱材料，具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，導(dǎo)熱性與絕緣性都優(yōu)于 金屬基板，更適合功率電子產(chǎn)品封裝，已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基 礎(chǔ)材料，廣泛應(yīng)用于 LED、汽車電子、航天航空及軍用電子組件、激光等工業(yè)電子領(lǐng)域。對(duì) 于陶瓷基板，需要通過(guò)其實(shí)現(xiàn)電氣連接，因此金屬化對(duì)陶瓷基板的制作而言是至關(guān)重要的一 環(huán)，根據(jù)制備工藝及金屬化方法不同，現(xiàn)階段常見(jiàn)的陶瓷基板種類共有 HTCC、LTCC、DP C、 DBC 和 AMB 等。 HTCC（High Temperature Co-fired Ceramic，高溫共燒陶瓷）：屬于較早發(fā)展的技術(shù)，是采 用陶瓷與高熔點(diǎn)的 W、Mo 等金屬圖案進(jìn)行共燒獲得的多層陶瓷基板。但由于燒結(jié)溫度較高 使其電極材料的選擇受限，且制作成本相對(duì)昂，促使了 LTCC 的發(fā)展；DBC（Direct Bonded Copper，直接覆銅）：通過(guò)熱熔式粘合法，在高溫下將銅箔直接燒結(jié)到 Al2O3和 AlN 陶瓷表面而制成復(fù)合基板； AMB（Active Metal Brazing，活性金屬釬焊）：AMB 是在 DBC 技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的， 在 800℃左右的高溫下，含有活性元素 Ti、Zr 的 AgCu 焊料在陶瓷和金屬的界面潤(rùn)濕并反應(yīng)， 從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合。 與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，AMB 陶瓷基板是靠陶瓷與活性金屬焊膏在高溫下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)結(jié) 合，因此其結(jié)合強(qiáng)度更高，可靠性更好，極適用于連接器或?qū)﹄娏鞒休d大、散熱要求高的場(chǎng) 景。

常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO )、 氮化硼（BN）等。Al2O3 和 AlN 綜合性能較好，分別在低端和高端陶瓷基板市場(chǎng)占據(jù)主流， 而 Si3N4基板由于綜合性能突出，在高功率、大溫變電力電子器件(如 IGBT)封裝領(lǐng)域發(fā)揮重 要作用。從目前市場(chǎng)綜合價(jià)格和產(chǎn)品性能來(lái)看，Al2O3 和 AlN 是最常見(jiàn)的兩種基板。雖然 AlN 的價(jià)格是 Al2O3 的 4 倍左右，但由于其高導(dǎo)熱性和更好的散熱性能，AlN 是目前最常用的基 板，其次是 Al2O3。 根據(jù)全球封裝材料市場(chǎng)規(guī)模及陶瓷基板占比，我們推算 2021 年陶瓷基板市場(chǎng)規(guī)模約為 11 億 美元。主要廠商中，根據(jù) market insights reports 數(shù)據(jù)，京瓷+村田+西鐵城合計(jì)占比 5 0%。

3.5 芯片粘接材料：實(shí)現(xiàn)芯片與底座或封裝基板連接，DAF 及 CDAF 有望 逐步取代 DAP

芯片粘結(jié)材料是采用粘結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片與底座或封裝基板連接的材料，在物理化學(xué)性能上要 滿足機(jī)械強(qiáng)度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)電導(dǎo)熱、低固化溫度和可操作性強(qiáng)的要求。主要包括芯 片粘接膠水（die attach paste，DAP）、非導(dǎo)電芯片粘接薄膜（non-conductive die attach film， DAF）以及導(dǎo)電芯片粘接薄膜（conductive die attach film，CDAF) 等，其中 DAP 技術(shù)門檻 相對(duì)較低，DAF 技術(shù)門檻相對(duì)較高，CDAF 技術(shù)門檻要求最高。

2019 年全球芯片粘接材料市場(chǎng)規(guī)模約 8.7 億美元，德國(guó)日本廠商占據(jù)主導(dǎo)地位。根據(jù) CEPEM 數(shù)據(jù)，2019 年中國(guó)半導(dǎo)體芯片粘接材料主要供應(yīng)商同樣以德國(guó)日本廠商為主（以銷售量計(jì)）： DAP 方面，德國(guó)漢高占比 65.3%，日本廠商日立化成、住友化學(xué)、京瓷、信越化學(xué)合計(jì)占比 22.6%，中國(guó)廠商永固科技和德邦科技合計(jì)占比 9.3%，其中永固科技市占率 8.1%，僅次于 漢高和京瓷，排名第 3； DAF 方面，非存儲(chǔ)器領(lǐng)域漢高占比 61%，日立化成占比 29.9%，日東電工占比 8.2%，3 大 廠商合計(jì)占比 99.1%；存儲(chǔ)器領(lǐng)域日東電工占比 91.4%，日立化成占比 8%，漢高占比 0.6%， 3 大廠商合計(jì)占比 100%； CDAF 方面，被漢高壟斷，占比 100%。

4、晶圓廠迎擴(kuò)產(chǎn)潮，中國(guó)大陸自主化率亟待提升

4.1 中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料自主化率 10-15%

根據(jù)我們統(tǒng)計(jì)和推算，中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料目前基本實(shí)現(xiàn)了重點(diǎn)材料領(lǐng)域的布局或量產(chǎn)，部 分產(chǎn)品如電子氣體、濕電子化學(xué)品、引線框架等自主化率達(dá)到 20-40%不等，但是大部分產(chǎn) 品自主化率仍然較低，不足 10%。綜合來(lái)看，晶圓制造材料自主化率<15%，封裝材料自主 化率<30%，半導(dǎo)體材料整體自主化率 10-15%，國(guó)產(chǎn)替代需求十分迫切。 從技術(shù)水平講，中國(guó)大陸廠商整體仍然以中低端產(chǎn)品為主，高端材料依然被海外廠商主導(dǎo)， 并且在產(chǎn)能及市場(chǎng)規(guī)模方面與海外廠商也有較大差距。但是經(jīng)過(guò)不懈努力，部分高端產(chǎn)品如 ArF 光刻膠已經(jīng)通過(guò)一些企業(yè)認(rèn)證，而在硅片、電子氣體、氫氟酸、靶材中的部分高端產(chǎn)品 已經(jīng)取得突破并打入 ASML、臺(tái)積電、三星、格芯、聯(lián)電、中芯國(guó)際、意法半導(dǎo)體、S K 海力 士、德州儀器、英飛凌等行業(yè)龍頭公司供應(yīng)鏈。

4.2 晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)有望加速國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料驗(yàn)證導(dǎo)入

自疫情爆發(fā)以來(lái)，居家辦公、教育等刺激了電子產(chǎn)品需求量，此外，新能源車滲透率快速提 升，亦拉動(dòng)了芯片需求量大幅增長(zhǎng)，芯片短缺問(wèn)題日益嚴(yán)重。隨著美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展限 制，加速了全球供應(yīng)鏈安全擔(dān)憂，供應(yīng)鏈已經(jīng)從成本優(yōu)先轉(zhuǎn)移到供應(yīng)鏈安全優(yōu)先，在此背景 下，全球各主要國(guó)家/地區(qū)半導(dǎo)體晶圓廠紛紛開(kāi)始擴(kuò)產(chǎn)以應(yīng)對(duì)芯片短缺。 中國(guó)大陸廠商中，中芯國(guó)際計(jì)劃在北京、上海、深圳、天津分別新建 10/10/4/10 萬(wàn)片/月的 12 英寸芯片產(chǎn)能，工藝制程為 28nm 及以上，此外，華虹半導(dǎo)體、士蘭微、華潤(rùn)微、聞泰科技、 粵芯半導(dǎo)體等廠商均有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，從投產(chǎn)時(shí)間來(lái)看，絕大部分新建產(chǎn)能計(jì)劃在 2022-2025 年 陸續(xù)投產(chǎn)。 我們認(rèn)為，晶圓廠新建階段將帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備需求量景氣度高漲，而在晶圓廠投產(chǎn)后，隨著 產(chǎn)能利用率和良率不斷爬坡，將會(huì)帶動(dòng)半導(dǎo)體材料開(kāi)始逐步放量，在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全的背 景下，我們認(rèn)為將有利于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料廠商加速導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)新建晶圓廠，隨著在晶圓廠不斷 驗(yàn)證調(diào)試和優(yōu)化，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料將有望駛?cè)爰夹g(shù)突破提速的過(guò)程，產(chǎn)品將不斷向著先進(jìn)制 程去突破，不斷邁向高端化，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈廠商有望充分受益。

（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關(guān)信息，請(qǐng)參閱報(bào)告原文。）

精選報(bào)告來(lái)源：【未來(lái)智庫(kù)】。系統(tǒng)發(fā)生錯(cuò)誤

國(guó)質(zhì)量新聞網(wǎng)訊 2023年2月2日，天津市市場(chǎng)監(jiān)管委網(wǎng)站發(fā)布關(guān)于2022年女士?jī)?nèi)衣網(wǎng)售產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督抽查情況的通報(bào)。

據(jù)通報(bào)，近期，天津市市場(chǎng)監(jiān)督管理委員會(huì)對(duì)該市女士?jī)?nèi)衣網(wǎng)售產(chǎn)品開(kāi)展了質(zhì)量監(jiān)督抽查工作，具體抽查情況如下。

一、基本情況

本次抽查產(chǎn)品為女士?jī)?nèi)衣產(chǎn)品，涉及天貓、淘 寶2家電子商務(wù)平臺(tái)。共抽查產(chǎn)品20批次，不合格產(chǎn)品5批次，不合格發(fā)現(xiàn)率25%。

二、抽查結(jié)果分析

女士?jī)?nèi)衣（網(wǎng)抽）。抽查天津市11家電子商務(wù)經(jīng)營(yíng)者的20批次產(chǎn)品，其中5批次產(chǎn)品不合格，不合格發(fā)現(xiàn)率25%。重點(diǎn)對(duì)甲醛含量、pH值、可分解致癌芳香胺染料、耐水色牢度、纖維含量、使用說(shuō)明等項(xiàng)目進(jìn)行了檢驗(yàn)。不合格項(xiàng)目涉及纖維含量、使用說(shuō)明。

三、工作要求

針對(duì)本次產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督抽查發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題，各區(qū)市場(chǎng)監(jiān)管局要按照《中華人民共和國(guó)產(chǎn)品質(zhì)量法》《產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督抽查管理暫行辦法》《天津市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督抽查實(shí)施辦法》等規(guī)定開(kāi)展后處理工作，要將本次抽查不合格產(chǎn)品情況通報(bào)當(dāng)?shù)卣跋嚓P(guān)部門，采取有力措施，維護(hù)產(chǎn)品質(zhì)量安全。

2022年女士?jī)?nèi)衣網(wǎng)售產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督抽查不合格產(chǎn)品及企業(yè)名單